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大功率半导体，“湖南智造”领先世界——南车株所实现IGBT产业化
2018年2月2日 南车株洲所与中国科学院微电子研究所联合，组建新型电力电子器件研发中心，开展以碳化硅为基础材料的新型电力电子器件技术与产业化的研究。 目前，中心已 23 小时之前 或许碳化硅8英寸时代的脚步这次真的已经临近。8英寸碳化硅消息频发 英飞凌在8月8日宣布，其位于马来西亚居林的8英寸碳化硅功率半导体晶圆厂一期项目正式启动 碳化硅8英寸时代临近，中国企业加速追赶 碳化硅晶圆尺寸越 ...
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中车时代电气6英寸碳化硅（SiC）生产线首批芯片试制成功
2018年1月30日 时代电气半导体事业部6英寸碳化硅（SiC）生产线是国内首条6英寸SiC 生产线，获得了国家“02专项 ”、国家发改委新材料专项等国家重点项目支持，是公司的重 2008年,时代电气(当时名为“南车时代电气”)收购全球IBGT 厂商丹尼斯,从而获得了大功率IGBT 技术及其4英寸生产线。. 公司2009 年建成国内首条高压IGBT 模块封装线,2013 年,公司 轨交电气龙头，汽车 IGBT 打开未来成长空间 - East Money ...
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株洲南车时代电气股份有限公司功率半导体重点实验室暨 ...
2013年7月29日 株洲南车时代电气股份有限公司 建成碳化硅电力电子器件核心芯片的生产线，形成年产 1 万片 4 英寸 （可扩充到 6 英寸 ）碳化硅芯片的生产能力；建成双极型烧 2013年11月14日 日前，南车时代新材有限公司自主研制的国内首套复合材料光伏支架成功装机，这标志着南车时代成为国内第一家掌握复合材料光伏支架技术的企业。南车时代：大功率半导体器件IGBT产业化建设项目 - 北极星 ...
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株洲南车时代电气股份有限公司 - 百度百科
株洲南车时代电气股份有限公司 （简称“南车时代电气”）经国务院 国有资产监督管理委员会 批准，由 中国南车集团株洲电力机车研究所、中国南车集团 株洲电力机车有限公司、中国南车集团 戚墅堰机车车辆厂、昆明中铁大 2018年7月20日 本发明公开了一种碳化硅MOSFET沟道自对准工艺实现方法，包括：清洗碳化硅外延片；在所述碳化硅外延片上沉积第一层介质层；在所述第一层介质层上沉积第 中国科学院机构知识库网格系统: 一种碳化硅MOSFET沟道自 ...
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南车时代 （CSR Times TEG） - Auto-Che
南车时代 牌 TEG6129H 型 （第253批） 南车时代牌客车（CSR TIMES TEG） 底盘型号：DD6129K02 发动机型号：WP10.336N; YC6L330-30 发动机排量（cm³）：9726; 8424 发动机功率（kW）：247; 243 额定载客人数(含驾驶员)：24-55, 24-51碳化硅8英寸时代临近，中国企业加速追赶_,碳化硅,晶圆,中国企业,中国,英飞凌公司,安森美,功率半导体,有机硅碳化硅8英寸时代临近，中国企业加速追赶 - 腾讯网
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南车时代碳化硅
2022年1月13日 株洲南车时代电气股份有限公司.doc,2017-2-6 株洲南车时代电气股份有限公司.doc,株洲南车时代电气股份有限公司 功率半导体重点实验室暨碳化硅基地产业化建设项目 环境影响报告书 （简 本） 建设单位：株洲南车时代电气股份有限公司 评价单位：湖南省摘要： 本发明公开了一种用于碳化硅器件表面碳保护膜去除的方法.本发明所提供的方法包括如下步骤:1)将表面负载有碳保护膜的SiC晶圆浸没在液相除碳剂中进行超声处理;2)将超声处理后的SiC晶圆置于后处理剂中进行后处理.本发明的方法通过湿法氧化,超声及后处理等步骤的协同配合,不仅能够有效 ...一种用于碳化硅器件表面碳保护膜去除的方法 - 百度学术
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瀚天天成：打造中国“碳化硅谷”(组图) - Sohu
2014年7月31日 该产品将为株洲南车时代电气股份有限公司研发3300V碳化硅功率器件提供碳化硅外延晶片。 据了解，3300V碳化硅功率器件若研发成功，将极大提升动车组的整体性能和工作效率，使中国具备打造具有自主知识产权的新一代动车组的实力。2022年8月4日 发布国内首款基于自主碳化硅器件的大功率电驱产品，碳化硅牵引逆变器搭载至深圳地铁一号线。2021 年 12 月， 时代电气自主研发的中车自主高压碳化硅电驱系统 C-Power 220s 正式发布，该电驱系统也是国内首款基于自主碳化 硅器件的大功率电驱产品。时代电气研究：IGBT和SiC双线布局，轨交龙头打开全新成长空间
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中车时代电气6英寸碳化硅（SiC）生产线首批芯片试制成功
2018年1月30日 伴随着2017年12月初中车时代电气6英寸碳化硅（SiC）产业基地技术调试圆满完成的步伐，时代电气半导体事业部的SiC产品开发团队即刻又吹响了产品试制的号角，历经一个多月时间，通过器件设计、工艺开发和工艺流程整合等各个岗位人员的共同奋斗，近日SiC 芯片最后一道终端钝化工艺顺利完成 ...2017年2月6日 株洲南车时代电气股份有限公司 功率半导体重点实验室暨碳化硅基地产业化建设项目 环境影响报告书 （简 本） 建设单位：株洲南车时代电气股份有限公司 评价单位：湖南省环境保护科学研究院 二〇一三年八月 目 录 （一）建设项目概况 3 （二）建设项目周围环境现状 3 （三）建设项目环境影响 ...株洲南车时代电气股份有限公司.doc - 原创力文档
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大功率半导体，“湖南智造”领先世界——南车株所实现IGBT产业化
2018年2月2日 2008年10月31日，南车株洲所下属株洲南车时代电气股份有限 公司成功收购英国丹尼克斯半导体公司75%的股权，为中国南车实现IGBT技术的突破打开了一扇窗。丹尼克斯半导体公司是世界知名的半导体公司，也是全球最早开发IGBT技术的厂家。碳化硅SiC器件目主要有哪些品牌在做？ 知乎中车时代电气——新能源汽车电驱系统的宁德时代碳化硅到底还能不能跟IGBT叫板了？ 知乎又一车企采用碳化硅！单一订单175亿元！内附11家国产中车时代公告扩产6英寸碳化硅芯片产能南车时代 碳化硅
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南车时代 碳化硅_上海破碎生产线
南车时代电气功率半导体研发大楼落成剪彩_电气资讯-百方电气。年月日-。整合相关技术资源,已经形成了一个国际化、专业化的功率半导体技术研发团队,正在开展新一代IGBT、新一代HVDC晶闸管和碳化硅技术的研究开发。2021年1月3日 南车时代电气IGBT-VVVF牵引变流器 电机音复原 参照了奶咖二世的电机音，电机换成了洗衣机电机，电压75V，音效比之前的小电机好得多。时代电气变流器的调制方式特殊，很有特色, 视 南车时代IGBT-VVVF牵引变流器 电机音复原__
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瀚天天成打造中国“碳化硅谷”-要闻-资讯-中国粉体网
2014年7月31日 该产品将为株洲南车时代电气股份有限公司研发3300V碳化硅功率器件提供碳化硅外延晶片。 据了解，3300V碳化硅功率器件若研发成功，将极大提升动车组的整体性能和工作效率，使中国具备打造具有自主知识产权的新一代动车组的实力。应用： 光伏、轨交、电网等。 MOSFET芯片及器件 简介： 车规级SiC MOSFET芯片，具有高电流密度，低比导通电阻 ，高工作频率等特点，适用于新能源汽车、充电桩领域；高压SiC MOSFET芯片，芯片内置栅电阻，具有低开关损耗，高工作频率的特点，适用于 ...株洲中车时代电气股份有限公司 > 产品与服务 > 产品中心 ...
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株洲南车时代电气股份有限公司功率半导体重点实验室暨 ...
2013年9月13日 株洲南车时代电气股份有限公司，拟在湖南省株洲市石峰区田心工业园公司 厂内的预留用地，建设功率半导体重点实验室暨碳化硅基地产业化建设项目，占 地约28.83亩。湖南省环境保护科学研究院受株洲南车时代电气股份有限公司委1 天前 安森美在韩国富川规划的生产设施，三安在湖南、重庆投资的碳化硅项目等。或许碳化硅8英寸时代 的脚步这次真的已经临近。8英寸碳化硅消息频发 英飞凌在8月8日宣布，其位于马来西亚居林的8英寸碳化硅功率半导体晶圆厂一期项目正式启动运营 ...碳化硅8英寸时代临近，中国企业加速追赶
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科普：关于大家对南车时代和中车时代的理解上的误区 - 哔 ...
2021年1月23日 总而言之，南车时代时期所设计的TGN等的这一系列逆变通常情况下没有随机载波频率，所以声音很清晰，而中车时代时期所设计的tPower 系列逆变通常情况下都有随机载波频率，所以声音沙哑，听起来和原来的有差别，这也就是造成大家错误地以逆 ...2013年12月3日 株洲南车时代电气股份有限公司电力电子事业部（以下简称电力电子事业部）是南车时代电气下属的核心业务单元之一，专业从事大功率半导体器件的研发、制造与销售。株洲南车时代电气股份有限公司
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碳化硅8英寸时代临近，中国企业加速追赶_建设_功率_生产线
23 小时之前 或许碳化硅8英寸时代的脚步这次真的已经临近。8英寸碳化硅消息频发 英飞凌在8月8日宣布，其位于马来西亚居林的8英寸碳化硅功率半导体晶圆厂一期项目正式启动运营。项目投资额20亿欧元，重点生产碳化硅功率半导体，同时也涵盖部分氮化镓外延生产。2022年3月8日 IGBT外延收购高压大功率 IGBT 厂商丹尼克斯实现技术飞跃：2008 年 10 月，当时作为中国南车二级子公司的 时代电气 ... 2.3 车规功率半导体成长潜力巨大，IGBT 和碳化硅 双翼齐飞 随着各国陆续出台燃油 时代电气研究报告：迈入新能源时代的轨交装备龙头
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株洲中车时代半导体有限公司_关于我们_下属公司_株洲中车 ...
株洲中车时代半导体有限公司自1964年开始致力于功率半导体技术的研发与产业化，现已成为少数同时掌握IGBT、SiC器件、晶闸管、IGCT及其组件技术的产业化基地之一，是我国集器件开发、生产与应用为一体的IDM（集成设计制造）模式企业代表，拥有芯片—模块—测试—应用完整产业链，为用户提供 ...2018年7月20日 中国科学院微电子研究所 ; 株洲南车时代电气股份有限公司 国家 中国 文献子类 发明专利 英文摘要 本发明公开了一种碳化硅MOSFET沟道自对准工艺实现方法，包括：清洗碳化硅外延片；在所述碳化硅外延片上沉积第一层介质层；在所述第一层介质 ...中国科学院机构知识库网格系统: 一种碳化硅MOSFET沟道自 ...
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轨交电气龙头，汽车 IGBT 打开未来成长空间 - East Money ...
时代电气成立于2005年09月26日，是中国中车旗下二级子企业。公司前身南车时代 电气由中 车株洲所、中车株机公司、中车实业、中车投资租赁及铁建装备共同发起设立。2006年，公司在 香港联合交易所成功上市；2016年更名为现在的“株洲中车时代电气 ...碳化硅沟槽栅MOSFET 技术研究进展 2023 - 罗海辉，李诚瞻，姚尧，... - 《机车电传动》 - 被引量 ... 株洲南车时代 电气股份有限公司 王彦刚 北京工业大学电子工程系 合作机构 株洲南车时代电气股份有限公司 ...罗海辉 - 百度学术
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时代电气研究报告：轨交牵引领导者，功率半导体新星 - 知乎
2022年6月21日 2021 年 4 月，中国中车正式发布 C-Car 平台，其中推出的产品自主高压碳化硅电驱系统 C-Power220，定位造就动力系统领先技 术集大成者，在芯片、电流传感器、电控、电机、电驱集成这五个方面有所增强，其中所 使用的 IGBT 半导体芯片来自时代电气。百度百科
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株洲南车时代电气股份有限公司功率半导体重点实验室暨 ...
2024年1月8日 株洲南车时代电气股份有限公司功率半导体重点实验室暨碳化硅基地产业化建设项目环境影响报告书（简本）株洲南车时代电气股份有限公司功率半导体重点实验室暨碳化硅基地产业化建设项目环境影响报告书（简本）株洲南车时代电气股份有限公司功率半导体重点实验室暨碳化硅基地产业化建设 ...
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