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碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代Focus_
2023年7月14日 据《2022碳化硅（SiC）产业调研白皮书》，除了碳化硅外延、离子注入、高温氧化/激活等碳化硅专用装备外，华卓精科等国内企业在激光退火、激光划片、PVD 2021年7月5日 碳化硅衬底的主要制备工序为，将高纯的碳化硅粉在特殊温度下，采用物理气相传输法（PVT）生长不同尺寸的碳化硅晶锭，再经过切割、研磨等多道工序产出碳化硅衬底。揭秘第三代芯片材料碳化硅，国产替代黄金赛道_澎湃
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材料学院董岩皓助理教授合作提出碳化硅气凝胶自蔓延制备新 ...
3 天之前 此项研究在合成技术上的突破，有望为碳化硅气凝胶的规模化生产和广泛工程应用开辟一条不同于现有超临界干燥工艺的新途径。 图1.自蔓延合成碳化硅气凝胶产品实物 2024年3月12日 英飞凌凭借 CoolSiC™ MOSFET G2 将碳化硅的性能提升到了新的水平。 新一代碳化硅技术使厂商能够更快地设计出成本更低、结构更紧凑、性能更可靠，且效 英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2，推动 ...
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碳化硅如何引领半导体新纪元？ - ROHM技术社区
2024年8月13日 面对多晶碳化硅（Poly-SiC）材料的未来，研究者们正聚焦于通过精细调控合成参数、采用先进烧结技术、深化缺陷工程、开发复合材料、制备高质量晶体、拓展 2022年12月1日 在新能源汽车、光伏发电、轨道交通和智能电网等领域，碳化硅器件显示出明显的优势。通过本文介绍的制造工艺，读者能够更好地了解碳化硅器件的特点和制备 一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 - ROHM技术社区 ...
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材料学院董岩皓课题组合作提出碳化硅气凝胶自蔓延制备新方法
3 天之前 此项研究在合成技术上的突破，有望为碳化硅气凝胶的规模化生产和广泛工程应用开辟一条不同于现有超临界干燥工艺的新途径。 图1.自蔓延合成碳化硅气凝胶产品实物 2022年5月20日 常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶– 凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。 本文对SiC粉体的制备、碳化硅陶瓷烧结技 碳化硅的制备及应用最新研究进展 - ResearchGate
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一文为您揭秘碳化硅芯片的设计和制造 - 电子工程专辑 EE ...
2024年8月16日 如果从结构上来说，硅和碳化硅MOSFET是一样的，但是从制造工艺和设计上来说，由于碳化硅材料和硅材料的特性导致它们 ... 是2001年-2012年期间我国无线电监测部门和军队频谱管理部门的主力便携设备之一，目前已有新一代产品PR100，但由于其 ...2023年5月4日 碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅是一种半导体，在自然界中以极其罕见的矿物莫桑石 碳化硅_百度百科
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碳化硅功率器件技术综述与展望 - CSEE
2020年3月16日 碳化硅功率器件技术综述与展望 盛况，任娜，徐弘毅 (浙江大学电气工程学院，浙江省 杭州市 310027) A Recent Review on Silicon Carbide Power Devices Technologies SHENG Kuang, REN Na, XU Hongyi (College of Electrical Engineering, Zhejiang University2024年3月7日 在新能源汽车中的技术应用 特别是在新能源汽车等新兴市场，中国车企在新能源转型方面处于全球领先地位，市场竞争力显著。鉴于碳化硅晶圆在新能源汽车等领域的广泛应用前景，它被视为实现能源转型和可持续发展的关键技术之一，有望在未来发挥重要作用。「碳化硅」晶圆制造及精密磨削、抛光、清洗解决方案，实现 ...
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新能源｜碳化硅产业链研究（产业链篇）_器件_工艺流程_外延
2022年8月24日 导电型衬底可用于生长碳化硅外延片，制成耐高温、耐高压的碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等功率器件，应用于新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等领域；半绝缘型衬底可用于生长氮化镓外延片，制成耐高温2024年3月7日 碳化硅（SiC）作为一种先进的半导体材料，在多个关键领域中具有重要应用。随着技术进步和市场的需求增长，碳化硅晶圆的制造工艺和精密加工技术变得至关重要。文章探讨了碳化硅晶圆制造中的各种精密加工技术，以及它们如何帮助实现产品的高性能和高可靠性。同时，文章也提到了中国在全球 ...「碳化硅」晶圆制造及精密磨削、抛光、清洗解决方案，实现 ...
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第三代半导体碳化硅衬底分类、技术指标、生长工艺、产业链 ...
2024年4月17日 1、第三代半导体特性 (1)碳化硅 根据《中国战略性新兴产业：新材料(第三代半导体材料)》，与硅相比，碳化硅拥有更为优越的电气特性: ①耐高压：击穿电场强度大，是硅的10倍，用碳化硅制备器件可以极大地提高耐压容量、工作频率和电流密度，并大大降低器件的导通损耗。2018年8月28日 点击上方“钧瓷网”可订阅哦！ 文张金伟 “钧瓷新工艺”是相对于“钧瓷传统工艺”的一种特殊工艺。它盛行于20世纪七十年代末至八十年代初。 传统工艺是钧瓷烧成期间利用窑炉内还原气氛对于整个釉层进行还原，由于还原气【钧瓷网】“钧瓷新工艺”的回顾与思考_生产
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液相法、激光切割，正在迭代应用的碳化硅新工艺介绍 ...
5 天之前 针对这些问题，目前国内外厂商也在积极改进工艺和设备，比如采用液相法来制备碳化硅晶体、用激光来切割碳化硅晶锭、采用不同技术路线的碳化硅外延生长炉等等，下面就来介绍一下这些已经开始使用，或正在验证有望商业应用的新技术和设备吧。2024年5月6日 外延工艺就是在单晶衬底上沉积一层薄的单晶层。这层新沉积的单晶层被称作外延层。碳化硅器件与传统硅功率器件制作工艺有非常明显的不同，SiC无法直接在碳化硅单晶材料上制备，需要在单晶衬底上额外生长出高质量的外延材料，并在外延层上制造各类新材料篇 第三代半导体 - 碳化硅SiC深度行研（2） $天岳 ...
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【推荐】碳化硅晶圆清洗的新方法-电子工程专辑
2023年9月25日 使用这种新的清洁方法，减少了清洗步骤数，并不再使用HF。 图2. 模型晶圆SiC表面的AFM图像 (a)清洗前；(b)RCA清洗后；(c)新方法清洗后 图3显示了3英寸SiC晶圆表面的Candela图像。经新方法清洗后，颗粒数明显减少。这一结果支持了AFM图 2024年5月6日 碳化硅晶圆的制造流程涉及前驱体净化处理、高温高压下的化学反应生成固态碳化硅、定向生长以及后续加工等关键步骤。这些步骤共同确保了碳化硅晶圆的高品质制造。碳化硅晶圆因其高硬度、出色的耐磨性、高温稳定性、优异的电学性能、良好的透光性和抗辐射能力，在半导体和电子器件领域 ...碳化硅晶圆：特性与制造，一步了解 - ROHM技术社区
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粉末挤出3D打印工艺为碳化硅热交换器件制造提供新途径
2024年4月12日 PEP为碳化硅热换器制造提供了新途径 从碳化硅陶瓷的素坯成型工艺入手，并结合适宜的烧结工艺，使烧成的碳化硅陶瓷毛坯达到近净成型，以减少后续加工量，并保证产品性能满足使用要求，这将成为复杂结构碳化硅陶瓷制备工艺的主要研究方向。5 天之前 夯实针对半导体碳化硅单晶缺陷和杂质的基础研究，开发碳化硅单晶生长的缺陷控制新工艺 和掺杂新工艺，不断提高超厚半导体碳化硅单晶的质量。 另外，同样据浙大杭州科创中心官微消息，4月24日，杭州市创业投资协会 ...厚度达100 mm，碳化硅单晶生长取得新进展 - 艾邦半导体网
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第三代半导体材料-碳化硅（SiC）详述_碳化硅射频器件 ...
2023年12月31日 此外，碳化硅器件可以在更高强度的环境下工作，也能更快速地进行散热，极限工作温度更高，因此在新能源汽车等领域有广阔的应用前景。其次，这两种材料的研究和发展也促进了材料科学的进步，为我们提供了更多可能性来探索和创造新的材料和技术。2023年11月16日 5、减薄工艺：碳化硅材料具有高硬度、高脆性和低断裂韧性的特点，其研磨加工过程中易引起材料的脆性断裂，对晶圆表面与亚表面造成损伤，需要新开发研磨工艺来满足碳化硅器件制造需求。核心工艺是磨片减薄、贴膜揭膜等。碳化硅器件制造工艺流程
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三了解第三代半导体材料：碳化硅（SiC） - 知乎
2019年7月25日 2、碳化硅有什么用？ 以SiC为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，也是目前晶体生产技术和器件制造水平最成熟，应用最广泛的宽禁带半导体材料之一，目前在已经形成了全球的材料、器件和应用 ...碳化硅的生产工艺和投资估算 碳化硅是人工合成的材料，其化学计量成分以克分子计：Si 50%、C 50%以质量计：Si 70.04%、C 29.96%，相对分子质量为40.09。 碳化硅有两种晶形：β-碳化硅类似闪锌矿结构的等轴晶系；α-碳化硅则为晶体排列致密的六方晶系。碳化硅生产工艺_百度文库
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碳化硅衬底磨抛加工技术的研究进展与发展趋势 - 艾邦半导体网
5 天之前 通过对现有碳化硅衬底磨抛技 术的总结及分析，未来碳化硅衬底磨抛加工技术的 发展将集中在工艺参数的优化、新磨料及抛光液的 研究、加工设备的自动化和智能化发展、环保加工方 法的开发、多尺度磨抛加工以及跨学科研究等方面.2023年3月13日 而碳化硅衬底的抛光工艺可分为粗抛和精抛，粗抛为机械抛光，主要用于去除研磨后衬底表面的损伤、进行平坦化处 理，目前较为主流的是使用化学机械抛光。外延工艺效率低：碳化硅的气相同质外延一般要在 1500℃以上的高温下进行。碳化硅 ~ 制备难点 - 知乎
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碳化硅陶瓷防弹材料新里程：创新组分与烧结工艺解析-新闻 ...
2024年6月13日 碳化硅陶瓷防弹材料新里程：创新组分与烧结工艺解析 2024-06-13 08:52:58 为提高碳化硅防护装甲材料的抗冲击性能,基于 Materials Studio 建立的模型仿真研究高温下AL-BN-C体系助剂在SIC中具有良好的热稳定性与结品度。碳化硅镀膜工艺-碳化硅镀膜工艺一、引言1. 背景介绍：碳化硅在电子器件中的应用2. 碳化硅镀膜的重要性：提高器件性能、降低成本3. 论文目的：详细介绍碳化硅镀膜工艺二、碳化硅材料特性1. 物理性质：晶格结构、离子扩散、能带结构2.碳化硅镀膜工艺_百度文库
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第三代半导体——碳化硅材料之制程与分析-EDN 电
2022年7月28日 艾迈斯欧司朗最新推出的DURIS® LED将引领柔性多变照明新时代 艾迈斯欧司朗最新推出的DURIS® E 2835 LED，实现从封装工艺到出光性能的升级与创新 康佳特推出基于恩智浦i.MX 95系列处理器的新 1 天前 与此同时，全球流动化学市场（连续流生产工艺技术）迎来发展新机遇，规模在2022年就达到了137.79亿元，预计到2028年将增长到236.16亿元，年复合 ...“超晟科技”新技术瞄准百亿市场碳化硅_新浪财经_新浪网
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工艺工程师（碳化硅方向） - 西安理工大学
1.协助完成碳化硅新工艺的开发及现有工艺的优化；2.协助梳理、完优化碳化硅体系文件；3.协助完成碳化硅现场加工过程中问题的分析及处理、监督工艺纪律执行及整改；2021年9月24日 碳化硅，又叫宽禁带半导体，第三代半导体 以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，突破原有半导体材料在大功率、高频、高速、高温环境下的性能限制，在5G通信、物联网、新能源、国防尖端武器装备等前沿领域，发挥重要作用碳化硅芯片的五大关键工艺步骤_电子器件
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碳化硅，在三大“千亿赛道”狂飙 - 知乎
2023年11月18日 碳化硅材料主要包括单晶和陶瓷2大类，无论是作为单晶还是陶瓷，碳化硅材料目前已成为半导体、新能源汽车、光伏等三大千亿赛道的关键材料之一。例如： 单晶方面，碳化硅作为目前发展最成熟的第三代半导体材料，可谓2024年5月8日 各大主流新能源车厂商积极布局碳化硅车型。碳化硅器件应用于车载充电系统和电源转换系统，能够有效降低开关损耗、提高极限工作温度、提升系统效率，目前全球已有超过 20 家汽车厂商在车载充电系统中使用碳化硅功率器件；碳化硅器件应用于新能源汽车充电桩，可以减小充电桩体积，提高 ...碳化硅（SiC）半导体功率器件在新能源汽车应用及技术分析
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顺利开幕-2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导体技术 ...
2023年5月5日，“2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导体技术发展论坛”在长沙盛大召开。论坛在第三代半导体产业技术创新战略联盟的指导下，由极智半导体产业网与中国电子科技集团第四十八研究所等单位联合组织。2021年7月21日 单晶生长工艺 正追赶世界先进水平 今年1月，湖南省首个第三代半导体产业园及国内首条碳化硅研发生产全产业链产线封顶。据介绍，该项目主要包含碳化硅长晶、衬底、外延、芯片、器件封装等厂房及相关配套设施建设，项目全面建成投产后 ...碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 - 国家自然科学基金 ...
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